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CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

余永涛1,2, 封国强1, 陈睿1, 蔡明辉1, 上官士鹏1, 韩建伟1

余永涛1,2, 封国强1, 陈睿1, 蔡明辉1, 上官士鹏1, 韩建伟1. CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究[J]. 航天器环境工程, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
引用本文: 余永涛1,2, 封国强1, 陈睿1, 蔡明辉1, 上官士鹏1, 韩建伟1. CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究[J]. 航天器环境工程, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
Yu Yongtao1,2,. Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
Citation: Yu Yongtao1,2,. Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

doi: 10.12126/see.2014.02.007
基金项目: 

中国科学院基础科研计划项目(编号:A1320110028);中国科学院支撑技术项目(编号:110161501038)

Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility

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文章相关
  • 收稿日期:  2014-01-07
  • 修回日期:  2014-03-24

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

doi: 10.12126/see.2014.02.007
    基金项目:

    中国科学院基础科研计划项目(编号:A1320110028);中国科学院支撑技术项目(编号:110161501038)

摘要: 利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。

English Abstract

余永涛1,2, 封国强1, 陈睿1, 蔡明辉1, 上官士鹏1, 韩建伟1. CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究[J]. 航天器环境工程, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
引用本文: 余永涛1,2, 封国强1, 陈睿1, 蔡明辉1, 上官士鹏1, 韩建伟1. CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究[J]. 航天器环境工程, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
Yu Yongtao1,2,. Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
Citation: Yu Yongtao1,2,. Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2014, 31(2): 150-153. doi: 10.12126/see.2014.02.007
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